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本发明涉及一种基板处理装置，更加详细而言，涉及一种在对基板进行蒸镀或者蚀刻等工艺时能够进行所述基板的中央部和边缘的温度控制及等离子体密度控制，进一步地在对腔室内部执行清洁工艺时能够进行基板支承部下方区域的颗粒控制的基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，提供用于容纳基板的容纳空间；供气部，设置在所述腔室内部，并供应工艺气体或者清洁气体；基板支承部，设置在所述腔室内部，并支承所述基板；以及移动环，布置在所述基板支承部和所述腔室的内壁之间而设置为能够上下升降，并具有用于加热所述基板的加热器、被供应RF
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111799144 A
(43)申请公布日
2020.10.20
(21)申请号 20201
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