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碳化硅器件终端结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-09-30 发布于四川
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碳化硅器件终端结构及其制造方法.pdf

    本发明实施例提供的一种碳化硅器件终端结构，包括：n型碳化硅层；位于所述n型碳化硅层内的一个第一沟槽以及位于所述第一沟槽一侧的至少一个第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁在垂直方向上均至少分成两段且呈阶梯状台阶，所述第一沟槽和所述第二沟槽的横向宽度在垂直方向上均自上而下逐步变小；位于所述n型碳化硅层内的靠近所述第一沟槽侧壁及底部的第一p型区和靠近所述第二沟槽侧壁及底部的第二p型区；覆盖所述n型碳化硅层表面并填充所述第一沟槽和所述第二沟槽的绝缘层；位于所述绝缘层上且覆盖部分所述第一沟槽的金属层

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825804 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202210281170.6 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 苏州东微半导体股份有限公司 地址

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