2023年成人高考专升本高起专考试试题与答案电力电子学 .pdf

一、单选题(共 40 题，每题 1 分) 1.关于单相桥式全控整流电路，表述正确的是：（B） A.单相桥式全控整流电路简单，但整流变压器存在直流磁化现象。 B.单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。 C.单相桥式全控整流电路简单，在电阻性负载时，整流变压器存在直流磁化现象。 2.MOSFET 和 IGBT 并联运行，表述正确的是：（B） A.型号相同的 MOSFET 可以并联运行，而 IGBT 不可以并联运行。 B.型号相同的 MOSFET 可以并联运行，IGBT 在通过电流较大时通态压降具有正温 度系数，也可以并联使用。 C.型号相同的 MOSFET 不可以并联运行，而 IGBT 可以并联运行。 3.关于相控电路的驱动电路，表述正确的是：（B） A.相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同，其相位 关系则随外加控制信号的变化而变化。 B.相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关 系确定。 C.相控驱动电路不需要同步环节，其相位关系由外加控制信号确定。 4.晶闸管正向特性表述正确的是：（C）。 A.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压增大。 B.只要门极电流幅值大于 1mA，晶闸管承受正向电压时就导通。 C.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 5.有关 GTR 的二次击穿现象表述正确的是：（C） A.虽然 GTR 存在二次击穿现象，但 GTR 的安全工作区与二次击穿现象无关。 B.GTR 的安全工作区就是二次击穿曲线。 C.GTR 的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。 6.晶闸管的结构为：（B ） A.晶闸管具有PNP 和 NPN 六层半导体结构。 B.晶闸管具有PNPN 四层半导体结构 C.晶闸管具有PNP 和或 NPN 三层半导体结构。 7.三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量，表述正确的是：（ B ） A.三相桥式全控整流电路每个时刻均需 2 个晶闸管同时导通，但不能肯定是否共 阴极组的和共阳极组的各 1 个导通。 B.三相桥式全控整流电路每个时刻均需 2 个晶闸管同时导通，共阴极组的和共阳 极组的各 1 个，且不能为同一相的晶闸管。 C.三相桥式全控整流电路每个时刻仅需 1 个晶闸管导通。 8.规则采样法与自然采样法，表述正确的是：（B ） A.用计算机实现三相桥式逆变电路 PWM 控制时，自然采样法比规则采样法更容易 实现。 B.用计算机实现三相桥式逆变电路 PWM 控制时，规则采样法比自然采样法更容易 实现。 C.用计算机实现三相桥式逆变电路 PWM 控制时，自然采样法与规则采样法是一样 的，只是称谓不同而已。 9.PWM 跟踪控制技术中的三角波比较方式，表述正确的是：（ A ） A.三角波比较方式可以使开关频率固定。 B.三角波比较方式的开关频率与环宽的大小有关。 C.三角波比较方式的开关频率与误差大小有关。 10.关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：（ C ） A.绝缘栅双极晶体管 IGBT 是一种复合器件，其开关速度比 GTR 慢。 B.绝缘栅双极晶体管 IGBT 是一种复合器件，其开关速度比电力 MOSFET 快。 C. 绝缘栅双极晶体管 IGBT 是一种复合器件，其开关速度比 GTR 快。 11.斩波电路有三种控制方式：（ B ） A.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM）；频率调制；占空比控制。 B.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM）；频率调制；混合型。 C. 斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM）；周期数通断比控制；占空 比控制。 12.开环控制的晶闸管直流电动机系统的机械特性，表述正确的（B ） A.无论电流断续还是电流连续，晶闸管直流电动机系统的机械特性曲线是一条直 线。 B.晶闸管直流电动机系统当电流断续时，电流小，则电动机的理想空载转速变小， 机械特性变硬 。 C.晶闸管直流电动机系统当电流断续时，电动机的理想空载转速抬高，机械特性 变软 。 13.有源逆变时的直流电动势，表述正确的是：（A ） A.要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧 的平均 电压，其极性须和晶闸管的 导通方向一致 。 B.要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧 的平均 电压，其极性没有特别的规 定。 C.要有直流电动势，其值应小于变流器直流侧 的平均