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本发明涉及沟槽梯度侧氧结构及其制备方法与半导体器件。所述沟槽梯度侧氧结构的制备方法包括：a)在硅片的表面形成掩膜层，所述掩膜层形成有沟槽定义区；b)对所述沟槽定义区进行刻蚀，形成沟槽，并去除所述掩膜层；c)在所述沟槽的表面形成至少一层包覆层，并对所述沟槽表面的包覆层进行表面磷处理；d)以填充材料对所述沟槽进行填充；e)对所述包覆层进行腐蚀，并获得所需的腐蚀效果；f)去除部分或全部的所述填充材料，获得沟槽梯度侧氧结构。该方法简单高效，能够在沟槽侧壁表面形成理想的斜坡阶梯场板，优化器件漂移区的电场分
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111341662 A
(43)申请公布日
2020.06.26
(21)申请号 20201
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