一种发光二极管外延片及制备方法、LED.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.85万字
约 14页
2023-09-30 发布于四川
举报
版权申诉

一种发光二极管外延片及制备方法、LED.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法、LED，该发光二极管外延片包括衬底、及在衬底上依次沉积的第一半导体层、有源层和第二半导体层，有源层包括M个周期性交替层叠的势阱层、及复合势垒层，复合势垒层沿外延方向包括依次层叠的第一极化调控层、第一势垒子层、第二势垒子层、及第二极化调控层，第一极化调控层为Si掺InGaN层，第一势垒子层为BInGaN层，第二势垒子层为BGaN层，第二极化调控层为Si掺GaN层，本发明中的发光二极管外延片，可以解决势阱层与复合势垒层之间晶格失配，导致InGaN势阱层存在巨

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825913 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202311041157.4 (22)申请日 2023.08.18 (71)申请人江西兆驰半导体有