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本申请公开了一种双色碲镉汞器件的台面刻蚀方法及应用,包括如下步骤:在双色碲镉汞器件表面进行光刻,形成电极干法刻蚀光刻胶掩膜图形;将双色碲镉汞器件固定在刻蚀设备内,并将刻蚀设备抽真空至预设真空条件;向所述刻蚀设备通入预设比例的H2、CH4、Ar的混合刻蚀气体;利用指定的工艺参数进行干法刻蚀,并在干法刻蚀后,对双色碲镉汞器件进行湿法腐蚀;清洗湿法腐蚀后的双色碲镉汞器件,完成台面刻蚀。本申请优化台面刻蚀工艺,降低了高深宽比台面双色器件表面的干法刻蚀损伤,降低了侧壁粗糙度,减少碲镉汞红外探测器的表面漏电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825894 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310838214.5
(22)申请日 2023.07.10
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十一研究
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