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本发明涉及外延反应炉清洗技术领域，具体公开了一种SiC反应炉原位清洗的方法，包括：正常生长时进行颗粒物监测、反应室颗粒物过量清洗程序开始、将对刻蚀气体敏感的传输盘移出反应室、升温并将大流量氢气通入反应室吹扫、降温降氢气流量、颗粒物监测、清洁完成和将对刻蚀气体敏感的传输盘移回反应室；本发明利用两步法，即高温氢气大流量和低温含氯混合气的分段式不同刻蚀速度清理反应室，加上离子束轰击反应室表面，去除附着的污染物并提供表面激活，以促进反应室下一步的再生和生长，利用加装光谱仪作为监测手段，及时发现腔体内Si
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116815307 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310839726.3
(22)申请日 2023.07.10
(71)申请人 浙江芯科半导体有
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