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本发明涉及晶片抛光技术领域,具体为一种碳化硅晶片抛光工艺,抛光机包括机架、抛光台、抛光垫、抛光机头和控制系统,其中:机架设置在地面上,抛光机头安装在机架上,抛光机头上设置有驱动装置一,驱动装置一用于驱动抛光机头旋转,抛光台安装在机架内,机架上设置有驱动装置二,调节装置安装在抛光台上,调节装置用于调整抛光垫形状,使得抛光垫更贴合加工工件。本发明通过调节装置调整抛光垫形状,使得抛光垫更贴合加工工件,对加工工件进行多角度处理,将抛光面上的抛光液都处理完毕,保证无大量抛光液残留,加工工件抛光面没有产生大
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116810500 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310878766.9
(22)申请日 2023.07.18
(71)申请人 马超
地址 441000 湖北
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