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本发明公开了一种溅射工艺反应腔,通过设置第一冷却件和第二冷却件,同时第一冷却件和第二冷却件的上下表面均各自设置了多个能够喷出冷却介质的冷却孔,因此通过这样通过第一冷却件和第二冷却件能够同时对晶圆的上下表面以及加热基座和腔室整体进行冷却降温,可以有效降低晶圆由于磁控溅射引起的升温现象,避免了晶圆升温对薄膜质量的影响,保证了工艺过程的稳定进行,提高效率。同时,对晶圆上下表面同时喷射冷却介质也可以保证晶圆上下表面的气压平衡,避免在晶圆受到冷却介质吹扫冷却过程中在顶针上发生位置偏移。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116815147 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202311038211.X
(22)申请日 2023.08.16
(71)申请人 上海陛通半导体能源科技股份有限
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