溅射工艺反应腔.pdfVIP

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种溅射工艺反应腔,通过设置第一冷却件和第二冷却件,同时第一冷却件和第二冷却件的上下表面均各自设置了多个能够喷出冷却介质的冷却孔,因此通过这样通过第一冷却件和第二冷却件能够同时对晶圆的上下表面以及加热基座和腔室整体进行冷却降温,可以有效降低晶圆由于磁控溅射引起的升温现象,避免了晶圆升温对薄膜质量的影响,保证了工艺过程的稳定进行,提高效率。同时,对晶圆上下表面同时喷射冷却介质也可以保证晶圆上下表面的气压平衡,避免在晶圆受到冷却介质吹扫冷却过程中在顶针上发生位置偏移。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815147 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202311038211.X (22)申请日 2023.08.16 (71)申请人 上海陛通半导体能源科技股份有限

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

版权声明书
用户编号:5333241143000144
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档