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本发明提供了具有T型源漏电极的背栅场效应晶体管及其制备方法以及CMOS反相器。该背栅场效应晶体管包括第一介质层；背栅结构，包括栅介质层与背栅电极；半导体有源层，设置于栅介质层远离第一介质层的一侧；阈值调控层，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧；第二介质层；源电极和源电极，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧并贯穿第二介质层、阈值调控层与半导体有源层接触；第三介质层，设置在第二介质层远离阈值调控层的表面，源电极与漏电极嵌设在第三介质层之内，以阈值调控层、第二介质层和第三介质层间隔开来。根据本发明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116828867 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202210273936.6 H10K 19/10 (2023.01)
(22)申请日 2022.03.
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