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11..22 集集成成电电路路的的分分类类 –器件结构类型 –集成度 –电路的功能 –应用领域 电电子子与与通通信信工工程程系系 按器件结构类型分类 • 双极集成电路：主要由双极型晶体管构成 –N N型双极集成电路 –N 型双极集成电路 • 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS 晶体管(单极型晶体管)构成 –NMOS –MOS –CMOS(互补MOS) • 双极-MOS(BiMOS)集成电路：是同时包括双极和 MOS晶体管的集成电路。综合了双极和MOS器件两 者的优点，但制作工艺复杂。 电电子子与与通通信信工工程程系系 集集成成电电路路工工艺艺沿沿革革 双极型-MOS-CMOS 双极型 1947年：晶 管 （Bardeen/Bell Lab） 1949年：双极型晶 管 （Schockley） 1956年：数字逻辑门 （Harris） 1958年：集成电路 （J.Kilby） 1962年：TTL系列 （Beeson/Fairchild ） 1974年：ECL高速系列 （Masaki） 1972年：I2L低功耗高密度系列 （Hart） –功耗/Scalability——双极型让位于MOS 电电子子与与通通信信工工程程系系 MOS 1925年：IGFET （Lilienfeld 缺乏对材料的了解和栅稳定性问题 1963年：CMOS逻辑门 （Wanlass 工艺复杂性 1970年：PMOS计算器 1970年：NMOS存储器 高密度：4Kbit 1972/74年：NMOS微处理器 高速：Intel 4004/8080 –功耗——NMOS让位于CMOS 电电子子与与通通信信工工程程系系 CMOS 1970年：工艺进步导致好的性价比 –集 规模增大 其它工艺 （现在与未来） ➢ Bi-CMOS 高速存储器和门阵列 ➢ SOI (IBM从45nm之后的工艺都是SOI） 面积/功耗/速度优， 本高 ➢ GaAs/SiGe 速度优 ➢ 超导/集 光路/量子计算 ➢ 碳纳米管 电电子子与与通通信信工工程程系系 按集成度分类 ä 集集成成度度：：每每块块集集成成电电路路芯芯片片中中包包含含的的元元器器件件数数 目目 类 别 数字集成电路 模 集成电路 MOS IC 双极IC SSI 102 100 30 MSI 2 3 100500 30100 10 10 LSI 3 5 5002000 100300