一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法.pdf

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本发明涉及一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法，属于晶体管器件研究技术领域。传统的提升跨导和特征频率方法，工艺复杂，实验条件严苛，并已经走到了GaN材料物理极限。本发明在一定程度上只需优化器件的结构，制作LGS/LG和LGD/LG比值更大的AlGaN/GaNHFET，以及制作LG更小的AlGaN/GaNHFET增强极化库仑场散射，增强栅压对电子速度的调制能力，或者制作LGS以及LG更小的AlGaN/GaNHFET增强沟道的电子速度，同样达到提升Al

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825837 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310849065.2 (22)申请日 2023.07.12 (71)申请人山东大学地址 250100