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本申请涉及一种基于MZI结构的光子器件、网络加速硬件及制备方法。所述方法包括：MZI波导、相变层、ITO顶电极层、Au电极和氧化保护层；相变层生长在MZI波导任一臂上，相变层为硫系化合物材料层，ITO顶电极层生长在相变层上，Au电极分别连接在ITO顶电极层的两端；氧化保护层覆盖在相变层和ITO顶电极层上。该相变材料本身具有非易失性，不需要持续供能即可保持状态，从而大大降低功耗。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116819844 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310866601.X G02F 1/225 (2006.01)
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