场效应管自学报告.docVIP

PAGE 2 场效应管及其电路自学报告 一、简介 1、场效应管 场效应晶体管（Field Effect Transistor）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 2、场效应晶体管的分类 结型场效应管 结型场效应管 绝缘型场效应管 N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道增强型 P沟道耗尽型 场效应晶体管 结构 工作状态 二、绝缘栅场效应管（MOS管）： 1．N沟道增强型绝缘栅场效应管（NMOS管）： （1）结构示意图及电路符号： （2）工作原理： A. 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压不会在 D、S间形成电流ID,即ID≈0. B. 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 C. 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道在UDS的作用下形成ID。 D．当UGSUT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下ID将进一步增加。 （3）特性曲线： 输出特性曲线 转移特性曲线 A．输出特性曲线: 可变电阻区：在Uds较小靠近输出特性曲线的纵轴处，id几乎随Uds线性增加。 （2）恒流区：只受Ugs的控制而几乎与无关，具有恒流特点 ，放大状态的场效应管工作在恒流区。 （3）击穿区：当Uds增大到某值时，栅源间发生反向击穿，id急剧增加，如不加限制，会造成管子击穿。 B.转移特性曲线： ① 当ugs=0时，id很小，近似为零。 ②当Ugs足够大时，才能形成导通沟道使管子导通。 2. N沟道耗尽型绝缘栅场效应管： 3. P沟道增强型绝缘栅场效应管（PMOS管）: 4. P沟道耗尽型绝缘栅场效应管： 5、场效应管主要参数 （1）直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 　　 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 　 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 （2）交流参数 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 　 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 （3）极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 6、场效应管主要作用 （1）.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 　　 （2）.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 　　 （3）.场效应管可以用作可变电阻。 　　 （4）.场效应管可以方便地用作恒流源。 　　 （5）.场效应管可以用作电子开关。 三．场效应管基本放大电路： 1.共源极放大电路： A.静态分析： B．动态分析： 微变等效电路： 2.共漏极放大电路： A．静态分析： B．动态分析： 微变等效电路： 四、场效应管应用 1、电阻法测电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个 场效应管电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 2、电阻法测好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源