半导体器件的制备方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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半导体器件的制备方法.pdf

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本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供设置有多个导电硅通孔的中介板，其中，所述中介板包括相背设置的正面和背面，所述硅通孔自所述正面向所述背面延伸，且非贯通所述背面；使所述中介板的所述正面朝下，从所述背面去除部分所述中介板以使得所述硅通孔从所述背面露出；在从所述背面露出的所述硅通孔上形成焊球，所述焊球与所述硅通孔电连接；使所述中介板的所述背面朝下，将至少一个芯片与从所述正面露出的所述硅通孔电连接。通过上述方式，本申请能够降低制备半导体器件的良率成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111799177 A (43)申请公布日 2020.10.20 (21)申请号 202010676399.0 (22)申请日 2020.07.14 (71)申请人通富微电子股份有限公司技术研发