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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其制备方法，本公开的制备方法包括在一衬底上形成堆叠膜层，堆叠膜层包括多个间隔分布的电容孔，电容孔贯穿堆叠膜层；在电容孔的侧壁及底部形成下电极层；在堆叠膜层背离衬底的一侧形成保护层，保护层与堆叠膜层中距离衬底最远的膜层的材料相同，堆叠膜层在衬底上的正投影在保护层在衬底上的正投影内；在保护层背离衬底的表面形成掩膜层；以掩膜层为掩膜对保护层及堆叠膜层进行选择性蚀刻。本公开的制备方法可避免在后续蚀刻工艺对顶部支撑层造成损伤，提高产品良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116828841 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202210272494.3
(22)申请日 2022.03.18
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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