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一种大芯片的垂直堆叠结构.pdfVIP

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  • 2023-10-01 发布于四川
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一种大芯片的垂直堆叠结构.pdf

    本实用新型涉及一种大芯片的垂直堆叠结构，包含基板和至少一层堆叠单元；所述堆叠单元包含由下到上依次堆叠的下层芯片、硅垫片和上层芯片，硅垫片通过薄膜黏合剂粘贴在下层芯片上，上层芯片通过埋线膜粘贴在硅垫片上，下层芯片通过薄膜黏合剂粘贴在基板或下侧的堆叠单元的上层芯片上；所述的下层芯片和上层芯片均通过键合金线与基板电连接；本方案采用spacer和WEF相结合的设计方案，可以有效减小产品翘曲，并降低塑封表面出现模流印的风险；键合线的弧高可设计，并且容易检测，也避免键合线不合理地弯曲，从而极大降低制程的难度

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210575949 U (45)授权公告日 2020.05.19 (21)申请号 20192

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