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- 2023-10-01 发布于四川
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本实用新型公开了一种高质量外延结构，包括衬底，缓冲层、u‑GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，所述缓冲层设置在衬底和u‑GaN层之间，以减少衬底和GaN之间的晶格差异，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层由AlN制成，所述第二缓冲层包括若干个周期的GaN层和SiNx层。本实用新型在衬底和GaN之间设置第一缓冲层和第二缓冲层，有效减低外延缺陷，减少晶格失配，提高外延结构的晶体质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575998 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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