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- 2023-10-01 发布于四川
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本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度情况下降低可控硅器件的关断时间，解决了现有的可控硅器件关断时间较长，应用在中高频的开关电路中时存在的关断异常的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575963 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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