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- 约 26页
- 2023-10-04 发布于四川
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本申请涉及半导体制造的光刻技术领域,公开了掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质,主节点和不同的从节点可以独立并行地根据元素组合中的元素以及自身存储的掩模图案,分别确定一个新的成像图案与目标图案之间的差异度,以便后续根据所有节点分别确定的差异度以及初始差异度确定在当前迭代周期内预设掩模图案的优化结果,以确定是否停止优化操作。不再需要像传统的直接搜索算法那样一次又一次地计算掩模图案中某个像素点所处位置的状态变化后,掩模图案对应成像图案与目标图案之间的差异度,大大加快差异度的计算效率,从而加快
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116841135 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202311111059.3
(22)申请日 2023.08.31
(71)申请人 光科芯图 (北京)科技有限公司
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