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一种自对准微沟槽结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-10-04 发布于四川
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一种自对准微沟槽结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种自对准微沟槽结构及其制备方法，微沟槽结构包括：具有相对的第一表面和第二表面的衬底，布置于衬底的第一表面的第一半导体；若干开设于第一半导体和衬底的栅极沟槽；覆盖栅极沟槽内表面的第一绝缘介质层以及布置在栅极沟槽内的第一导电层，与第一导电层绝缘隔离的第二导电层，其中，布置在若干栅极沟槽内的第一导电层以并行方式排列布置，第二导电层和第一半导体通过设置在栅极沟槽之间并与第一半导体对齐布置的金属电极接触孔来实现连接。本申请的微沟槽结构及其制备方法用于解决微沟槽结构的自对准及对准调整问题，适用于

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845098 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202311076189.8 H01L 21/331 (2006.01) (22)申请日 2023.08

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