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本发明提供了籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法，所述籽晶处理方法包括以下步骤：(1)向籽晶所在的容器通入刻蚀气体，进行退火刻蚀；(2)采用第一粘结剂将所述籽晶的粘接面和第一粘接板进行粘接，碳化，然后在所述粘接板的背面涂覆第二粘结剂，并与第二粘接板进行粘接，固化后得到处理后的籽晶；其中，第一粘接板的孔隙率大于第二粘接板的孔隙率。本发明首先对碳化硅籽晶进行预处理，不仅释放了籽晶应力，为降低晶体的位错缺陷奠定了基础，而且在籽晶表面形成了致密保护层，有效抑制了位错增殖；然后采用二次生长的方式在籽晶上生长
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116837456 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310874871.5
(22)申请日 2023.07.17
(71)申请人 江苏超芯星半导体有限公司
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