材料物理性能部分课后习题.docxVIP

课后习题第一章 德拜热容的成功之处是什么？ 答：德拜热容的成功之处是在低温下，德拜热容理论很好的描述了晶体热容，CV.M∝T 的三次方 何为德拜温度？有什么物理意义？ 答：HD=hνMAX/k 德拜温度是反映晶体点阵内原子间结合力的一个物理量 德拜温度反映了原子间结合力，德拜温度越高，原子间结合力越强 试用双原子模型说明固体热膨胀的物理本质 答：如图，U1（T1）、U2 答：如图，U1（T1）、U2（T2）、U3(T3）为不同温度时的能量，当原 子热振动通过平衡位置 r0 时，全部能量转化为动能，偏离平衡位置时， 动能又逐渐转化为势能；到达振幅最大值时动能降为零 ， 势能 打到最大。由势能曲线的不对称可以看到， 随温度升高， 势能由 U1(T1）、U2（T2）向U3（T3）变化，振幅增加，振动 中心就由r0，r0向 r0右移，导致双原子间距增大，产生热膨胀 第二章 1. 电阻率增加 5%  300K 1×10-6Ω ·m 4000K 时 由于晶格缺陷和杂质引起的电阻率。 解 解：按题意:p(300k) = 10∧-6 则: p(400k) = (10∧-6)* (1+0.05) ----(1) ----(1) 在 400K 温度下 在 400K 温度下马西森法则成立，则: p(400k) = p(镍 400k) + p(杂 p(杂 400k) ----(2) 又: p(镍 400k) = p(镍 300k) * [1+ α * 100] ----(3) 其中参数: ----(3) 其中参数: α 为镍的温度系数约 = 0.007 ; p(镍 300k)(室温) 300k)(室温) = 7*10∧-6 Ω.cm) 将(1)和(3)代入(2)可算出杂质 引起的 引起的电阻率 p(杂 400k)。 2. 2.为什么金属的电阻因温度升高而增大，而半导体的电阻却因温 度的升高而减小？对金属材料，尽管温度对有效电子数和电子平均速率几乎没有影响，然而温度升高会使离子振动加剧，热振动振幅加大，原子的无序度增加，周期势场的涨落也加大。这些因素都使电子运动的自由称减小，散射几率增加而导致电阻率增大而对半导体当温度升高时，满带中有少量电子有可能被激发 度的升高而减小？ 对金属材料，尽管温度对有效电子数和电子平均速率几乎没有影 响，然而温度升高会使离子振动加剧，热振动振幅加大，原子的 无序度增加，周期势场的涨落也加大。这些因素都使电子运动的 自由称减小，散射几率增加而导致电阻率增大 而对半导体当温度升高时，满带中有少量电子有可能被激发 的过程）2. ）Rab/r3 的过程） 2. ）Rab/r3 交换积分 A0(充分条件）或者：1）在原子中 到上面的空带中去，在外电场作用下，这些电子将参与导电。同 时，满带中由于少了一些电子，在满带顶部附近出现了一些空的量子状态，满带变成了部分占满的能带，在外电场作用下，仍留在满带中的电子也能够起导电作用。 时，满带中由于少了一些电子，在满带顶部附近出现了一些空的 量子状态，满带变成了部分占满的能带，在外电场作用下，仍留 在满带中的电子也能够起导电作用。 3.表征超导体性能的 3 个主要指标是什么?(P80) （表征超导体的两个基本特性完全的导电性和完全的抗磁性） 1)， 1)，临界转变温度 TC，即成为超导态的最高温度 2)。 2)。临界磁场 HC，即能破坏超导态的最小磁场，HC 的大小与超 导材料的性质有关3)，临界电流密度 导材料的性质有关 3)，临界电流密度 JC，即材料保持超导状态的最大输入电流 第三章 1.什么是自发磁化？（P142) 在铁磁质内部存在着很强的“分子场”,在这种“分子场”的作用 在铁磁质内部存在着很强的“分子场”,在这种“分子场”的作用 下，原子磁矩趋于同向平行排列，即自发的磁化饱和（铁磁性材 料的磁性是自发产生的。所谓磁化过程（又称感磁或充磁）只不 过是把物质本身的磁性显示出来，而不是由外界向物质提供磁性 2. 2.形成铁磁性的基本条件是什么？ (P143) 答： 答：1）原子内部要有未填满的电子壳层，原子磁矩不等于零（必 要条件） 要条件） 存在有未被电子填满的状态 存在有未被电子填满的状态（指 d 或f 状态）是产生铁磁性的必 1)退磁场能最小要求是磁畴形成的根本原因所造成的与温度无关或随温度变化很小。0K要条件;2）产生铁磁性不仅仅取决于原子本身的原子磁矩是否 1)退磁场能最小要求是磁畴形成的根本原因 所造成的与温度无关或随温度变化很小。 0K 要条件;2）产生铁磁性不仅仅取决于原子本身的原子磁矩是否 高，而且还取决于形成晶体时原子间的相互键合作用。这个作用是否对形成铁磁性有利，这是形成铁磁性的第二个条件 高，而且还取决于形成晶体时原子间的相互键合作用。这个作用 是否对形成