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第 3 章 场效应管放大电路
3-1 判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
GS结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 R
GS
大的特点。( ? )
GS若耗尽型N 沟道 MOS 管的 U 大于零,则其输入电阻会明显变小。( ? )
GS
选择正确答案填入空内。
GS(1)U =0V 时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
GS
A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
D m当场效应管的漏极直流电流 I 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导g 将 A
D m
A.增大 B.不变 C.减小
改正图 P3-3 所示各电路中的错误, 使它们有可能放大正弦波电压。 要求保留电路的共源接法。
图 P3- 3
S解 :( a) 源极加电阻 R 。
S
D( b) 漏极加电阻 R 。
D
( c) 输入端加耦合电容。
( d) 在 R g 支路加- V G G , + V D D 改为- V D D 改正电路如解图 P3-3 所示。
+ Voo
l
尺 。
? 丁I VDD
』 。
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R,
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曰 R h
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I
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y GG .
( c} (d)
解图 P 3-3
已知图 P3-4(a) 所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图
( b) (c) 所示。
uRR( 1 ) 利用图解法求解 Q 点 ;( 2 ) 利用等效电路法求解 A 、 和 。
u
R
R
材。u,
材。
u,
+
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口
4一,
4
R止。Miii
R止。
M
iii ,
C
(a)
Jd m A
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(b}
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I
2
4.
I
I
6
I
8
I I ii
l.o l. 2 u1 ::iJ V
(c)
图 P3- 4
G S D SD Q G S Q解 :( 1 ) 在转移特性中作直线 u = - i R , 与转移特性的交点即为 Q 点; 读出坐标值, 得出 I = 1mA , U = - 2V 。 如解图 P3-4 (
G S D S
D Q G S Q
解图 P 3-4
u V i R R U 2V在输出特性中作直流负载线 = - ( + ), 与 = - 的
u V i R R U 2V
D S D D D D S G S Q
D S Q条输出特性曲线的交点为 Q 点, U ≈ 3V 。 如解图 P3-4 ( b) 所
D S Q
( 2 ) 首先画出交流等效电路( 图略 ), 然后进行动态分析。
i?
i
Dgm ? ?u
D
GS
?
U DS
? 2
U
GS(off)
I I
DSS DQ
? 1mA/V
A? ? ?g R ? ?5
u m D
R ? R
i g
? 1M?
R ? R
o D
? 5k?
已知图 P3-5 ( a) 所示电路中场效应管的转移特性如图( b) 所示。 求解
电路的 Q 点和 A? 。
u
图 P3- 5
解 :( 1 ) 求 Q 点:
根据电路图可知, UG S Q = V G G = 3V 。
从转移特性查得, 当 U G S Q = 3V 时的漏极电流
I D Q = 1mA
U V I R 5V因此管压
U V I R 5V
D S Q D D D Q D
( 2 ) 求电压放大倍数:
2g ?
2
m U
GS(th)
I I
DQ DO
? 2 mA V
A? ? ?g R ? ?20
u m D
电路如图 3-6 所示, 已知场效应管的低频跨导为 g , 试写出 A? 、 R 和 R
m u i o
的表达式。
图 P3 -6
解: A? 、 R 和 R 的表达式分别为
u i o
A? ? ?g (R ∥ R )
u m D L
R ? R
i 3
R ? R
R ∥ R
1 2
o D
电路如图 3-7 所示。已知 V
=12V,V
=2V,R
=100kΩ,R
=1kΩ, 场效应管 T 的 I
=8mA、U =
DD GG G D
DSS
GS(off)
DQ m-4V。求该管子的 I 及静态工作点处的g
DQ m
解: I
图 P 3-7
=2 mA g
DQ m
= 2ms
G D1 D2
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