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本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面形成有若干间隔的凹槽以将硅基底的背面划分为若干交替排列的第一区域和第二区域，相邻的第一区域和第二区域通过凹槽隔离。P型掺杂层形成在第一区域上，N型掺杂层形成在第二区域上，N型掺杂层在硅基底内形成有第一内扩层。N型掺杂层的宽度小于第二区域的宽度，沿第一区域和第二区域的排列方向，N型掺杂层与凹槽之间具有第一预设距离。如此，可以使得N型掺杂层在硅基底内所形成的第一内扩层完全位于硅基底的内而不会暴露在凹槽所形
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219800869 U
(45)授权公告日 2023.10.03
(21)申请号 202321268781.3 H01L 31/0216 (2014.01)
(22)申请日 2023.0
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