电子技术基础双极型半导体器件演示文稿.pptVIP

IC=f(Uce)? Ib=C Sect 3. 放大区 (1) IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距 (2) 条件：发射结正偏，集电结反偏， NPN管 UBE≥ 0 , UBC＜0 (3) Ic=?Ib, 即Ic主要受Ib的控制。有电流放大作用 (4) ? ≈ 2. 输出特性曲线 2. 截止区： (1)条件：发射结反偏，集电结反偏。 NPN：Ube?0.5V,管子就处于截止态 (2) Ib=0 Ic=Iceo 晶体管C、E之间相当于开路 1. 饱和区: (1) IC受Uce显著控制的区域，该区域内Uce的数值较小，一般Uce＜0.7V(硅管)。 (2) 条件： IB＞ IBs 临界饱和点： IBs= ICs /β Uces=0.3V左右, 晶体管C、E之间相当于短路 发射结正偏，集电结正偏 C E B 本文档共31页；当前第31页；编辑于星期一\18点0分 * * * * * * * * * * * * Chap 电子技术基础双极型半导体器件演示文稿 本文档共31页；当前第1页；编辑于星期一\18点0分 优选电子技术基础双极型半导体器件 本文档共31页；当前第2页；编辑于星期一\18点0分 2. 电子空穴对 自由电子: