噶米磁性材料-第一章课件.pptxVIP

第一章 磁学基础知识;在不同的磁化条件下，磁导率有不同的表达形式 (1)起始磁导率μi;(3)复数磁导率;(5)可逆磁导率μrev;(8)总磁导率μtot;磁性和磁性材料的分类 所有的物质都具有磁性，但并不是所有的物质都能作为磁性材料来应用。有些物质具有很强的磁性，而大部分物质磁性很弱，因此实际上只有很少一部分物质能够作为磁性材料来应用。 物质的磁性分类 按照磁体磁化时磁化率的大小和符号，可以将物质的磁性分为五个种类：抗磁性、顺磁性、反铁磁性、铁磁性和亚铁磁性。;1.2.2 磁性材料分类 从实用的观点出发，磁性材料可以分为以下几类：软磁材料、永磁材料、信磁材料、特磁材料 磁性材料中的基本现象 磁晶各向异性 定义：对于单晶材料，其磁化曲线随晶轴方向的不同而有所差别，即磁性随晶轴方向显示各向异性。 *磁晶各向异性存在于所有铁磁性晶体中。;Ni单晶的磁化曲线;一、磁晶各向异性能 铁磁体从退磁状态磁化到饱和，需要付出的磁化功为：;(1) 立方晶系;(2) 六角晶系;求法：磁体在磁晶各向异性等效场中的磁场能＝磁晶各向异性能→→等效场 *六角晶体（易轴为[0001]）;三、磁晶各向异性起源;磁晶各向异性来源模型;1.3.2 磁致伸缩 一、磁致伸缩效应 定义：磁性材料由于磁化状态的改变，其长度和体积都要发生微小的变化。 线磁致伸缩：纵向磁致伸缩、横向磁致伸缩体积磁致伸缩→很小，可忽略 磁致伸缩系数：;λ的大小与H的大小有关;*同种单晶体在不同晶轴方向磁化时的磁致伸缩系数是不相同的，即单晶体的磁致伸缩具有各向异性。;*通过对材料施加拉应力或压应力，能引起材料的磁性能变化，即所谓的压磁效应，这是磁致伸缩的逆效应。 *研究磁致伸缩的意义： 了解磁体内部各种相互作用的本质以及磁化过程与物体形变的关系； 根据材料的压磁效应原理制成许多有用的器件。 二、磁致伸缩机理 *同磁晶各向异性的来源一样，由于原子或离子的自旋与轨道的耦合作用而产生。;19;1.4 磁畴结构;布洛赫壁结构;奈尔壁结构;*另一种分类方法：根据畴壁两侧磁畴的自发磁化方向间的关系，将畴壁分为180o畴壁和90o畴壁。夹角是 180o时，称为???者；其他的称为后者。 1.4.3 特殊磁畴结构一、单畴 *铁磁晶体材料的尺寸变小时，内部包含的磁畴会减少。到一定程度时，成为多畴时的畴壁能比单畴的退 磁场能还要高，这时材料将不再分畴，形成单畴结构。;*单畴颗粒不会有畴壁位移磁化过程，只有磁畴转动磁化过程，因此磁化和退磁都比较困难。;二、磁泡 定义：在一些薄膜磁性材料中出现的一种圆柱形磁畴;*H=0时，自发磁化→条状磁畴 *加小H时，与外磁场方向一致的磁畴体积增大，与外场反向的磁畴体积缩小。 *当外场增大到一定大小时，与外场同向的磁畴占据了大部分体积，而与外场反向的磁畴收缩为孤立的圆柱形磁畴，即磁泡。 *H继续增大，磁泡直径会减小，当H达到某一数值时，磁泡会消失。;*磁泡产生的退磁场Hd与薄片的磁化方向相同，其作用是使磁泡退磁。为克服退磁作用，须有一数值较大、方向与Hd相反的磁场，才能保证磁泡稳定的存在。该磁场便是材料的单轴各向异性等效场HK。;*磁泡体积小，并能高速转移，用它作为计算机中的存储器或传输和逻辑器件，将会在很大程度上增加存储量，提高计算速度。 *原理：控制磁泡的产生和消失，分别作为写“1”和“0”，并能检测磁泡的有无，从而读出写入的“1”和“0”。 技术磁化 磁化机制 *磁化过程：磁性材料由磁中性状态变到磁饱和状态的过程 *反磁化过程：从磁饱和状态回到退磁状态的过程;*技术磁化：铁磁体在外场作用下通过磁畴转动和畴壁位移实现宏观磁化的过程;*当H改变ΔH时，MH的改变为;*对一种磁性材料，磁化过程以一种或几种机制为主，不一定包括全部的四种机制。 软磁材料：畴壁位移磁化为主 单畴颗粒材料：仅存在单纯畴转磁化过程 1.5.2 可逆畴壁位移磁化过程 *在H作用下，i畴能量最低，k畴能量最高，根据能量最小原理的要求，i畴体积增大，k畴体积减小，相当于畴壁移动了一段距离。;32;*实际上，在一定的外场下，畴壁位移的距离是有限的。原因：材料内部存在着阻碍畴壁运动的阻力，阻力主要来源于铁磁体内部的不均匀性，主要是铁磁体内部存在有内应力的起伏分布和组分的不均匀分布，如杂质、气孔和非磁性相等。 *单位体积铁磁体内的总能量为： *畴壁位移磁化过程中，必须满足自由能最小原理： *畴壁位移磁化过程中的一般磁化方程式：;*物理意义：畴壁位移磁化过程中磁位能的降低与铁磁体内能的增加相等。 *磁化过程中的平衡条件： 动力(磁场作用力)＝阻力(铁磁体内部的不均匀性) *根据阻力的不同来源，分为两种理论模型： 内应力模型和含杂模型 一、内应力模型 *主要考虑内应力的起伏分布对铁磁体内部能量变化的影响，忽略杂质的影响。一