Ga掺杂CuInSe2电子结构和光学性质的第一性原理研究的中期报告.docxVIP

Ga掺杂CuInSe2电子结构和光学性质的第一性原理研究的中期报告 本研究旨在通过第一性原理计算方法，研究掺杂不同比例Ga的CuInSe2的电子结构和光学性质。在研究的前期，我们采用了VASP软件和GGA近似进行计算。在对纯CuInSe2单晶进行计算时，计算结果符合实验数据。随后，我们将Ga掺杂进CuInSe2晶格中，分别计算了5%，10%，15%，20%和25%的掺杂比例下体系的电子结构和光学性质。 在对Ga掺杂CuInSe2计算时，我们发现在加入Ga之后，系统的基态变为半金属态，其中存在一些半导体能带中的态被深度局部化至杂质处。在较高的掺杂比例下，体系的导电性越强，且相邻的能带间隔很小。另外，在掺杂比例较低时，体系的光吸收谱主要由CuInSe2的贡献组成。但随着掺杂比例的增大，Ga-d态的贡献逐渐占主导地位，从而显著提高了体系的光吸收表现。此外，我们还计算了各个掺杂比例下的折射率和透明度。结果显示，在掺杂比例为15%时，体系的折射率和透明度均达到最高点。 总的来说，本研究对Ga掺杂CuInSe2的电子结构和光学性质进行了系统的理论研究，并得出了一些有意义的结果。这些结果不仅有助于深入理解该体系的物理性质，也为后续的实验研究提供了有效的理论指导。