MOSFET-参数理解及其主.pptxVIP

MOSFET 参数理解及其主要特性;;;;;2、源-漏穿通：对于短沟道MOSFET，当源-漏电压增大，使得漏极p-n结耗尽层展宽到与源极p-n结的耗尽层相重叠（连通）时，就发生了源-漏穿通，并将形成很大的源-漏输出电流（为空间电荷限制电流，与源漏电压的平方成正比）；这时的源-漏电压即为穿通电压。若此穿通电压低于其它的击穿电压时，则它就起着限制器件最高工作电压的作用——类似击穿电压。穿通电压VPT与衬底掺杂浓度NA和沟道长度L有关：VPT ∝ NA L2掺杂浓度越低、沟道长度越短，穿通电压也就越低。;3、栅-源击穿：MOSFET的栅-源击穿也就是栅氧化层的击穿，这是一种破坏性的不可逆击穿。这种击穿即决定了栅-源击穿电压BVGS。短沟道器件的氧化层厚度很薄（一般约为沟道长度的50分之一），则较容易发生栅-源击穿。SiO2层的临界击穿电场为5×106~10×106 V/cm，但考虑到SiO2质量的分散性，则在设计氧化层厚度时即需要留有50%的安全系数。当器件端头积累有静电电荷、并通过内部产生放电（ESD）时，也容易引起栅-源击穿。在IC芯片中往往需要采取一定的防止ESD破坏的措施。;4）饱和电压VDsat：MOSFET的饱和电压就是输出源-漏电流饱和时所对应的源-漏电压。源-漏电流饱和的状态也就是沟道在靠近漏极端处夹断了的状态。对于增强型MOSFET，源-漏电压V