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- 2023-10-07 发布于四川
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本实用新型公开了一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，包括半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区以及集电极，浮空栅极场板与多晶硅栅极相连，并在器件表面跨过栅极的上方延伸至JFET区上方。本实用新型通过设置半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P型集电极区和集电极的相互配合，达到了击穿特性好的优点
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210607265 U
(45)授权公告日
2020.05.22
(21)申请号 20192
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