GaN基发光二极管偏振发光特性研究的中期报告.docxVIP

GaN基发光二极管偏振发光特性研究的中期报告 1. 研究背景 随着半导体材料技术的不断发展，GaN基发光二极管已经成为了高亮度、高效率的照明和显示技术的基础。然而，由于其本质的材料特性，GaN基发光二极管具有一定的偏振发光特性，这限制了其应用范围。因此，对GaN基发光二极管的偏振发光特性进行研究，有助于提高其应用价值，实现更广泛的应用。 2. 研究目的 本研究旨在通过对GaN基发光二极管的偏振发光特性进行研究，探究其偏振发光的机制及影响因素，并寻找有效的方法来提高其偏振比，从而提高其应用价值。 3. 研究内容 （1）GaN基发光二极管的偏振发光机制研究：通过对GaN基发光二极管的结构特性和材料特性进行分析，探究其偏振发光的机制。 （2）GaN基发光二极管偏振发光的影响因素研究：通过对不同工艺参数和条件下GaN基发光二极管偏振比的测量和分析，寻找影响GaN基发光二极管偏振比的因素。 （3）GaN基发光二极管偏振发光的改善方法研究：通过优化工艺参数、改变材料结构等手段，探究提高GaN基发光二极管偏振比的有效方法。 4. 研究进展 （1）已完成对GaN基发光二极管的偏振发光机制的初步分析，并确认其偏振比与晶体生长方向、电场分布等因素密切相关。 （2）已完成一系列实验，测量不同工艺参数和条件下GaN基发光二极管的偏振比，并初步探究了影响偏振比的因素。 （3）已开始对GaN基发光二极管偏振发光的改善方法进行研究，初步探究了优化工艺参数、改变材料结构等手段对偏振比的影响。 5. 研究展望 本研究将继续深入探究GaN基发光二极管偏振发光的机制及影响因素，并结合实验数据，寻找有效的方法来提高其偏振比，为其应用领域的拓展提供科学依据和技术支持。