K组元Fibonacci序列中压电超晶格的带隙结构及标度行为的中期报告.docxVIP

K组元Fibonacci序列中压电超晶格的带隙结构及标度行为的中期报告 在这份中期报告中，我们将探讨K组元Fibonacci序列中压电超晶格的带隙结构和标度行为。首先，我们简要回顾一下Fibonacci序列和压电超晶格的基本概念。Fibonacci序列是指通过递推方式生成的序列，其每个元素都是前两个元素的和。例如，从1和1开始的前几个元素是1、1、2、3、5、8等等。 压电超晶格是一种由两种不同材料交替排列而成的周期性结构。这种结构具有一些特殊的性质，例如，在外加电场的作用下，其能带结构会产生一个漏斗形状的带隙，其中禁止带的宽度随着电场强度的增加而增加。这种带隙结构可以用来设计新型电子器件和光电器件。 在我们的研究中，我们考虑了K组元的Fibonacci序列和压电超晶格结合的体系。我们使用紧束缚模型来描述这个系统，并使用均匀的外加电场来模拟压电效应。我们计算了在不同电场强度下的能带结构和带隙宽度，并研究了这些结构的标度行为。 我们的计算结果表明，随着K的增加，系统的带隙宽度呈现出一种非线性的标度行为。具体来说，我们发现当K从1增加到5时，带隙宽度增加了约6倍，而当K从5增加到10时，带隙宽度又增加了约17倍。这种非线性标度行为表明，在K非常大时，压电超晶格可以具有非常大的带隙宽度，这对于器件应用具有潜在的重要性。 总之，我们的研究结果表明，K组元Fibonacci序列和压电超晶格的结合体系具有非常有趣的带隙结构和标度行为。我们计划在后续研究中深入探讨这种体系的性质，并利用这些性质来设计新型电子器件和光电器件。