实验三 存储器实验.doc

信 息 学 院 《计算机组成原理》实验报告 学号：104100044 姓名：徐玉妃 班级：计科10A 课程名称： 计算机组成原理 上机内容：存储器实验 实验性质： □ 综合性实验 　　 □ 设计性实验 　　 ■ 验证实验 实验时间: 2012年10 月19 日 实验地点: 睿智4号102 实验设备：ZY15Comp12BB实验箱 实验报告:(包括目的、方法、原理、结果或实验小节等)。 实验目的： 1、掌握静态随机存储器RAM工作特性。 2、掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。 实验原理： 实验所用的半导体静态存储器电路原理如图1-6所示，实验中的静态存储器由一片6116（2Kx8）构成，其数据线接至数据总线，地址由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯LI01—LI08与地址总线相连，显示地址内容。INPUT单元的数据开关经一三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。 图1-6 存储器实验原理图 地址总线为8位，接入6116的地址A7—A0，将6116的高三位A8－A10接地，所以其实际容量为256字节。6116有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、/WE（写线）。本实验中将OE常接地，在此情况，当CE=0、WE=0时进行写操作，CE=0、WE=1时进行读操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。 实验时，将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插针中，其它电平控制信号由“SWITCH”单元的二进制开关给出，其中SW_G为低电平有效，LDAR为高电平有效。 实验步骤与注意事项： 1、形成时钟脉冲信号T3，具体接线方法和操作步骤如下： （1） 将SIGNAL UNIT中的CLOCK和CK，TS3和T3用排线相连。 （2） 将SIGNAL UNIT中的两个二进制开关 “SP03”设置为“RUN”状态、“SP04”设置为“RUN”状态（当 “SP03”开关设置为“RUN”状态、“SP04”开关设置为“RUN”状态时，每按动一次触动开关START，则T3的输出为连续的方波信号。当“SP03”开关设置为“STEP”状态、“SP04”开关设置为“RUN”状态时，每按动一次触动开关START，则T3输出一个单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。） 2、按图1-7连接实验线路，仔细检查无误后接通电源。（图中箭头表示需要接线的地方，接总线和控制信号时要注意高低位一一对应，可用彩排线的颜色来进行区分） 3、给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、22、33、44、55，具体操作步骤如下：（以向00号单元写入11为例） 首先使各个控制电平的初始状态为：SW_G=1，CE=1，WE=1，LDAR=0，CLR= l→0→1，并将CONTROL UNIT的开关SP05打在“NORM”状态，然后按下图所示步骤进行。图中方括号中的控制电平变化要按照从上到下的顺序来进行，其中T3的正脉冲是通过按动一次CONTROL UNIT的触动开关START来产生的，而WE的负脉冲则是通过让SWITCH单元的WE开关做l→0→1变化来产生的。 4、依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，在DATA BUS单元的指示灯上进行显示，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下：（以从00号单元读出11数据为例），其中AR的值在ADDR BUS单元的指示灯上显示，RAM相应单元的值在DATA BUS单元的指示灯上显示。 实验结果： 地址0000000100000011存储数据0010001001000100实验小结： 通过本次实验，掌握了静态随机存储器RAM工作特性。掌握了静态随机存储器RAM的数据读写方法。明白SRAM靠触发器存储信息，DRAM则是靠栅极电容存储信息。其中，SRAM比DRAM速度快，但SRAM的集成度不如DRAM高，它们共同的缺点是掉电后不能保存信息。 任课教师评语： 教师签字：　　　　　　 　年　　月　　日 注：每学期至少有一次设计性实验。每学期结束请任课教师按时按量统一交到教学秘书处。