电子学基础 第1章基本半导体器件.pptxVIP

1.1 半导体基础知识;本征半导体：晶格完整、纯净无杂质的半导体 杂质半导体：在本征半导体中掺入三价或五价元素 N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素，如磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等 多子：自由电子 少子：空穴 ;半导体性能：掺杂特性、热敏特性、光敏特性 P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素，如硼(B)、铝(Al)、铟(In)等 多子 ：空穴 少子：自由电子;N型半导体的结构示意图 ;PN结的形成;二极管结构示意和电路符号;ＰＮ结加正向偏压 ;ＰＮ结反向偏压 ;理想二极管符号和特性曲线 ;理想二极管的等效电路 ;二极管特性 ;;二极管结构示意图 ;（a）正向偏压呈低阻抗 ;二极管应用 ;二极管检波电路 ;二极管限幅电路 ;稳压二极管 ;稳压二极管用于限幅电路 ;特殊二极管 ; 发光二极管（LED主要材料是砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)或磷砷化镓(GaAsP)的混合晶体，在正向导通电压作用下，能发出红、绿、黄等几种颜色的可见光。 ; 光电二极管具有光→电转换性能（外壳用玻璃窗口），工作于反向偏置。当在光的照射下，光电流随着照度Ev的增大而增大。 ; 肖特基二极管是利用金属—半导体的接触来代替PN结，以多数载子工作，内部没有少数载子。常用于高频信号的整流和数位电路。 ; NPN型晶体管结构示意图和符号 ;内部条件 发射区高掺杂(故管子e、 c极不能互换) 基区很薄(几个?m) 外部条件 发射结(eb结)正偏 集电结(cb结)反偏;晶体管电流分配关系 ;共射极电路 ;共基极电路 ;共集电极电路 ;晶体管输入特性曲线 ; 晶体管输出特性曲线 ;截止区 ;放大区 ;饱和区 ;判别管子类型 ;判断基极 ;判断发射极、集电极 ;电压放大器 ;晶体管作为开关 ;结型场效应管结构和符号 ;N沟道JFET的工作原理 ;N沟道结型场效应管的特性曲线 ;;耗尽型与增强型MOSFET的符号 ;;耗尽型N沟道MOSFET的特性曲线 ;耗尽型P沟道MOSFET的特性曲线 ;N沟道增强型MOSFET的特性曲线 ; P沟道增强型MOSFET的特性曲线