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- 2023-10-11 发布于四川
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半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含氧前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。含碳前驱物可以由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。所述方法可以包括使含硅前驱物、含氧前驱物和含碳前驱物在低于约650℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅氧碳层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116868311 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202280011443.3 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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