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本发明提供一种沟槽栅型SiCMOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiCMOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中，下管待测SiCMOSFET器件的栅压始终保持零栅压；在电感电流通过下管待测SiCMOSFET器件续流时，侦测交点电流下待测SiCMOSFET器件的体二极管压降值，通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiCMOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现Si
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116859205 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310888313.4
(22)申请日 2023.07.19
(71)申请人 重庆大学
地址 400044
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