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本发明公开一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域；在AlGaN势垒层和GaN沟道层的交界面处通过压电极化和自发极化效应在靠近GaN沟道层一侧产生二维电子气层；从绝缘层的顶面的中部，向下刻蚀至GaN沟道层的底面，形成用于沉积生长P型半导体层的凹槽；从发射区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部和集电区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部，向下刻蚀至发射区AlGaN势垒层的顶面，形成用于沉积生长发射极和集电极的两凹槽；在P型半导体层的顶面沉积生长基极；本发明可大大提高电子在发射区和集电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864520 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310868179.1
(22)申请日 2023.07.14
(71)申请人 上海大学
地址 200444
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