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本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离区；金属层；具有第一导电类型的多个阴极区；设置于有效阳极区与隔离区之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，通过在有效阳极区域隔离区之间设置掺杂浓度大于衬底层的掺杂浓度的重掺杂区，使得双向半导体放电管在满足击穿电压时依然具有低电容的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210668386 U
(45)授权公告日
2020.06.02
(21)申请号 20192
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