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本发明提供一种半导体器件及其制作方法。半导体器件的制作方法中，先在半导体衬底中形成沟槽，沟槽位于半导体衬底中第一掺杂区的边沿，再在半导体衬底的顶面上形成外延层，外延层覆盖半导体衬底的顶面并填充沟槽，其中，在形成外延层的过程中，沟槽改变所述第一掺杂区的掺杂物质的扩散路径以减少第一掺杂区的掺杂物质扩散到第一掺杂区侧上方的外延层中的量，如此有助于改善半导体器件的漏电问题，提高半导体器件的电性能。本发明提供的半导体器件包括半导体衬底和外延层，半导体衬底中形成有第一掺杂区以及位于第一掺杂区边沿的沟槽，外延
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884837 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202311139404.4
(22)申请日 2023.09.06
(71)申请人 合肥晶合集成电路
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