SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置.pdfVIP

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2023-10-14 发布于四川
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SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置.pdf

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本申请涉及一种SiCMOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置、计算机设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品。该方法包括：控制待测的SiCMOSFET工作在预设状态下，其中，SiC芯片包括栅极、漏极、第一源极，SiCMOSFET还包括第二源极。获取第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号。在确定SiCMOSFET失效的情况下，根据第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号，确定SiCMOSFET的失效机理，其中，失效机理包括SiC芯片失效和封装组件失效中的至少一种。采用本申

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116879702 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310848200.1 (22)申请日 2023.07.11 (71)申请人中国电子产品可靠性与环境试验研