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本发明提供了一种图形偏移量的测量方法，应用于半导体技术领域。其是通过先在第一介质层和第二介质层的组合膜层中设置多组预设偏移量的不同设计值，再基于该样本库进行训练，进而得到针对每一所述预设偏移量的设计值，其在受图形漂移的影响下的所述预设偏移量的设计值在执行光刻‑刻蚀工艺后的实际值，进而形成预设偏移量数据库，即得到意想不到的技术效果是：通过定量设定的方式，将不易测量的外延层的图形偏移量转换成易于测量的特定膜层所构建出的台阶结构的图形偏移，进而简化了外延生长后所造成的图形偏移问题，并避免了对硅片的切片
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884870 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310944653.4
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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