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本公开涉及一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构，包括：晶圆级桥接载体，以及分别位于晶圆级桥接载体的上下表面的第一层结构和第二层结构。晶圆级桥接载体包括：介电图案层，设有多个通孔；金属走线层，嵌设于介电图案层的各通孔中。其中，第一层结构和第二层结构通过金属走线层电性连接。本公开利于缩短半导体封装结构中各层结构之间数据的传输路径，提高数据传输效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884947 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202311135443.7
(22)申请日 2023.09.05
(71)申请人 长电集成电路 （绍兴）有限公司
地
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