Bi5FeTi3O15铁薄膜B位掺杂的改性研究的中期报告.docx

Bi5FeTi3O15铁薄膜B位掺杂的改性研究的中期报告 本次中期报告主要介绍了对Bi5FeTi3O15铁薄膜B位掺杂的改性研究的进展情况。 首先，我们使用射频磁控溅射技术制备了纯Bi5FeTi3O15铁薄膜，并对其进行了表征。结果显示，薄膜具有良好的晶体结构和形貌，并且具有一定的铁磁性。 接着，我们采用化学溶液法在薄膜中引入B元素进行掺杂，以改善其磁学性能。通过优化掺杂浓度和掺杂时间，成功实现了掺杂B元素的铁薄膜制备。我们进一步通过X射线衍射和场冷磁力显微镜对掺杂后的薄膜进行了表征，结果显示，掺杂B元素可以提高薄膜的饱和磁化强度，并且缓解了薄膜中的磁滞现象。 最后，我们对掺杂后的薄膜进行了磁滞回线测试和磁性能分析。结果显示，掺杂B元素可以使Bi5FeTi3O15铁薄膜的磁滞回线变得更加对称，同时提高了其剩磁和饱和磁化强度，表明掺杂B元素是一种有效的改性方法。 综上所述，本次中期报告介绍了对Bi5FeTi3O15铁薄膜B位掺杂的改性研究的进展情况。通过掺杂B元素，我们成功改善了薄膜的磁学性能，为其在磁存储器等领域的应用提供了新的思路和方法。