2015年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷).docVIP

》》》》》》2023年整理历年要考研试题资料《《《《《《 》》》》》》2023年整理历年要考研试题资料《《《《《《 PAGE / NUMPAGES 》》》》》》2023年整理历年要考研试题资料《《《《《《 2015年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷) 列式计算面心立方晶胞的致密度（AtomicPackingFactor）。（本题15分） 2.如图1所示某晶胞示意图，请作图标出坐标为(1/4,1,1/2)的点。（本题15分） 3计算每立方米Cu在1000℃时的平衡空位数量。已知空位形成能为0.9eV/atom；1000℃时铜的的原子量和密度分别为63.5g/mol和8.4g/cm3；玻尔兹曼常数K为8.62×10-5eV/K。(本题15分) 4. 已知Cu晶体的点阵常数a=0.35nm，切变模量G=4×104Mpa。有一位错 ，其位错线方向为 ,计算该位错的应变能。(本题15分) 5.为研究稳态条件下间隙原子在面心立方金属中的扩散情况，在厚0.25mm的金属薄膜的一个端面（面积1000mm2）保持对应温度下的饱和间隙原子，另一端面为间隙原子为零。测得下列数据： 计算在这两个温度下的扩散系数和间隙原子在面心立方金属中扩散的激活能。(本题25分) 6.试指出Cu晶体易滑移的晶面和晶向，并求出滑移面间距，滑移方向上的原子间距及点阵 阻力。（已知GCu=48.3GPa，v=0.