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一种半导体器件包括：外围电路结构，包括：第一衬底、第一衬底上的电路器件、电连接到电路器件的下布线结构、覆盖下布线结构的下绝缘层、以及下绝缘层上的扩散阻挡层；以及存储单元结构，包括：第二衬底，在外围电路结构上包括第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于第二衬底的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开，并且在第二区域中在垂直于第一方向的第二方向上延伸以形成阶梯形状；以及沟道结构，在第一方向上穿透栅电极，并且各自包括沟道层。扩散阻挡层包括氢渗透率低于氮化硅的氢渗透率的第一材料层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116896887 A
(43)申请公布日 2023.10.17
(21)申请号 202310166574.5 H10B 43/35 (2023.01)
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