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具有来自侧电极的优化的电注入的发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-10-18 发布于四川
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具有来自侧电极的优化的电注入的发光二极管.pdf

    一种具有来自侧电极的优化的电注入的发光二极管，其中该发光二极管(100)包括：‑第一电极(102)；‑第一层(104)半导体，掺杂成第一导电类型；‑第二层(108)半导体，掺杂成第二导电类型；‑辐射复合区(114)，布置在第一层和第二层之间或其界面处；‑第三层(118)半导体，掺杂成第二导电类型；‑第四层(120)半导体，布置在第二层与第三层之间；‑第二电极(124)，布置成抵靠第三层的侧面(126)并且抵靠第四层的侧面(128)的仅一部分；并且其中第四层(120)相对于第三层形成至少100兆电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116895720 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310345061.0 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2023.03.

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