氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件.pdfVIP

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2023-10-18 发布于四川
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氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件.pdf

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本发明涉及一种氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，提供预定结构的化合物作为氧化膜反应表面控制剂，基于该氧化膜反应表面控制剂的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(stepcoverage)和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116897222 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202380009417.1 (74)专利代理机构北京鸿元知识产权代理有限