半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-10-18 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。在形成于半导体衬底上的多层布线层的最上层布线层中形成焊盘电极。形成介电膜以覆盖焊盘电极。在介电膜中形成开口部分以到达焊盘电极。在开口部分中，作为导电层的一部分的导电膜电连接到焊盘电极。在导电膜的侧表面上形成氧化层，在氧化层中包含在导电膜中的材料被氧化。氧化层的宽度为200nm或大于200nm。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116895622 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310163108.1 (22)申请日 2023.02.24 (30)优先权数据 2022-062226 202