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带有竖直漂移区的高电压MOSFET的结构和制造方法.pdfVIP

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  • 2023-10-18 发布于四川
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带有竖直漂移区的高电压MOSFET的结构和制造方法.pdf

    本申请涉及一种晶体管、一种三维NAND闪速存储器集成电路和一种形成晶体管的方法。本公开内容的多个实施方式包括一种带有竖直漂移区的晶体管和用于形成所述晶体管的方法。所述晶体管可包括：第一导电类型的阱区；栅极区，所述栅极区设置在所述阱区上方；和与所述第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区。所述漂移区可具有设置在所述阱区的一部分上方并与所述阱区中的半导体沟道侧向地相邻的侧向部分。所述漂移区还可具有从所述漂移区的所述侧向部分竖直地延伸的竖直部分。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116895696 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310345511.6 (22)申请日 2023.04.03 (30)优先权数据 17/714,093 2022

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