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基于Ru-RuOx纳米晶及高K介质的MOS结构存储效应及机理研究的中期报告 中期报告摘要： 本研究基于Ru-RuOx纳米晶及高K介质的MOS结构进行存储效应及机理研究。通过先前的样品制备和测试，得到了纳米晶制备及MOS结构电学特性测试所需的样品，并对其进行了测试和分析。接下来，本期工作主要分为两个方向：纳米晶制备的优化和MOS结构存储机制的研究。 在纳米晶制备的优化方面，本期工作主要针对制备过程中Ru/RuO2比例以及溶液浓度的影响进行研究。通过TEM、XRD和Raman等测试手段分析得出，Ru/RuO2比例不合适或者溶液浓度过高，均会导致纳米晶晶粒大小、分布均匀性以及RuO2相含量不稳定，并且与存储效应的响应存在关联。 在MOS结构存储机制的研究方面，本期工作主要通过量子隧穿和电子捕获等机理对于MOS结构存储特性的影响进行了分析。通过C-V和I-V特性测试，得到了MOS结构在不同偏压下的电学特性和存储效应。通过进一步的测试分析，发现隧穿和捕获机制是导致存储效应的主要机理，并且电子捕获机制更加显著，这与先前的研究相符合。 综上，本期工作通过对于Ru-RuOx纳米晶及高K介质的MOS结构进行了深入研究，从纳米晶制备及MOS结构存储机制两个方向对其进行了优化和探究。后期工作将进一步深入到存储机制及优化制备的实现，以进一步优化该结构在存储领域的应用。